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上海鎵特半導體全球發售4英寸自支撐氮化鎵襯底

2019-10-25    

中國照明網報道

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導語: 鎵特半導體科技(上海)有限公司(簡稱“鎵特”)全球發售4英寸自支撐氮化鎵襯底。鎵特使用自主研發的HVPE設備生長自支撐GaN(氮化鎵)襯底,攻克了GaN高質量生長工藝、高良率剝離工藝、低成本研磨拋光工藝等關鍵技術,完成了中試開發,具備了量產4英寸自支撐GaN襯底的能力。

  鎵特半導體科技(上海)有限公司(簡稱“鎵特”)全球發售4英寸自支撐氮化鎵襯底。鎵特使用自主研發的HVPE設備生長自支撐GaN(氮化鎵)襯底,攻克了GaN高質量生長工藝、高良率剝離工藝、低成本研磨拋光工藝等關鍵技術,完成了中試開發,具備了量產4英寸自支撐GaN襯底的能力。

  該公司從設備到晶體生長工藝全流程均具有自主知識產權,其中HVPE設備已經更新至第6代機型,目前已經申請專利45項,并獲得高新技術企業認證。

  據悉,鎵特自支撐GaN襯底XRD搖擺曲線(002)和(102)半峰寬(FWHMs)均在50-60 aresec之間,位錯密度低至1E6 /cm2,中心點offcut偏向m面0.35°,并可根據客戶需求進行調整,晶格曲率半徑大于10米。研磨拋光后的GaN襯底表面粗糙度在0.3nm以下,其他表面指標達到epi ready的標準。GaN襯底綜合技術指標已經達到世界先進水平。

  基于鎵特的研發成果,成立了鎵特半導體科技(銅陵)有限公司,規劃年產36000片4英寸自支撐GaN襯底,產業規模居世界第一。在價格上,鎵特4英寸自支撐GaN襯底價格與同尺寸SiC襯底相當,以推動GaN-on-GaN技術的大規模應用。

  此外,鎵特4英寸”epi-ready”自支撐氮化鎵襯底主要應用于超高亮度發光二極管(LED)芯片,激光二極管(LD)芯片, 發射基站級高能量密度高頻(RF)芯片,千伏特級電力(power)芯片,等等。

編輯:嚴志祥

來源:鎵特半導體

標簽:上海鎵特  氮化鎵襯底  

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